时间：2025/6/27 11:27:38
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FQP34N20L是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-252封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用中。
该MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高效率。其额定电压为200V，适合高压环境下的各种电子电路设计。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.9A
峰值脉冲漏极电流：8.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（在Vgs=10V时）
输入电容：440pF
总栅极电荷：16nC
开关速度：快速
FQP34N20L具有较低的导通电阻，在给定的工作条件下可以显著减少功率损耗。
该器件还具备高雪崩能量能力，能够在发生异常情况时保护电路不受损坏。
此外，它的快速开关特性有助于减少开关损耗，非常适合高频应用环境。
同时，由于采用了先进的制造工艺，这款MOSFET能够在高温环境下稳定工作，并且具有良好的热稳定性。
整体而言，FQP34N20L以其优异的电气性能和可靠性成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
FQP34N20L主要应用于需要高效功率管理的场景，例如消费类电子产品中的适配器和充电器、工业设备中的开关电源和电机驱动电路、通信设备中的DC-DC转换模块以及家用电器中的负载切换电路。
由于其出色的电气特性和稳定性，该器件也非常适合用于汽车电子领域，如电动车窗控制器、雨刷电机驱动器以及其他车载电子系统中的功率控制部分。
FQP34N20,
IRFZ44N,
STP19NF20,
FDP17N20,
AO3400
