FQP30N06L是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件设计用于高效开关应用,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域。
它采用TO-252表面贴装封装,具有低导通电阻的特点,适合要求高效率和低功耗的应用场景。
最大漏源电压:60V
最大连续漏电流:30A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻:18mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:49W(在Tc=25°C时)
工作结温范围:-55°C至175°C
栅极电荷:30nC(典型值)
反向恢复时间:10ns(典型值)
FQP30N06L具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频应用。
3. 栅极驱动要求低,便于与逻辑电路接口。
4. 热稳定性好,能够在宽温度范围内可靠工作。
5. 具备雪崩能量处理能力,增强其在异常情况下的耐用性。
6. 表面贴装封装(TO-252/DPAK),节省空间且易于自动化装配。
FQP30N06L的这些特点使其成为电源管理、电机驱动和负载切换等应用的理想选择。
FQP30N06L适用于多种电力电子应用:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
5. 汽车电子设备中的负载切换。
6. LED驱动器和照明控制系统。
由于其低导通电阻和快速开关能力,FQP30N06L能够提供高效可靠的性能表现。
IRLZ44N
AO3400
FDP55N06L
STP30NF06L