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FQP30N06L 发布时间 时间:2025/6/6 8:51:00 查看 阅读:5

FQP30N06L是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件设计用于高效开关应用,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域。
  它采用TO-252表面贴装封装,具有低导通电阻的特点,适合要求高效率和低功耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:30A
  最大栅极源极电压:±20V
  导通电阻:18mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:49W(在Tc=25°C时)
  工作结温范围:-55°C至175°C
  栅极电荷:30nC(典型值)
  反向恢复时间:10ns(典型值)

特性

FQP30N06L具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用。
  3. 栅极驱动要求低,便于与逻辑电路接口。
  4. 热稳定性好,能够在宽温度范围内可靠工作。
  5. 具备雪崩能量处理能力,增强其在异常情况下的耐用性。
  6. 表面贴装封装(TO-252/DPAK),节省空间且易于自动化装配。
  FQP30N06L的这些特点使其成为电源管理、电机驱动和负载切换等应用的理想选择。

应用

FQP30N06L适用于多种电力电子应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
  5. 汽车电子设备中的负载切换。
  6. LED驱动器和照明控制系统。
  由于其低导通电阻和快速开关能力,FQP30N06L能够提供高效可靠的性能表现。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDP55N06L
  STP30NF06L

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FQP30N06L参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1040pF @ 25V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件