时间：2025/4/27 9:40:41
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FQP2N90 是一款 N 沣道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率切换的应用中。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适合于高频和大电流的应用环境。
这款 MOSFET 的设计使其能够在较高的频率下工作，同时保持较低的功耗和高效的性能表现。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：9.2A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗：115W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
FQP2N90 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达 100V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时，典型值为 0.17Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 较大的持续漏极电流能力（9.2A），适用于大功率负载控制。
5. 工作温度范围宽广，能够适应恶劣的工作环境。
6. TO-220 封装，易于安装和散热设计。
FQP2N90 广泛用于以下应用场景：
1. 开关电源中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. DC-DC 转换器中的同步整流开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各类电子设备中的负载控制和保护功能。
6. 照明系统中的 LED 驱动开关。
IRFZ44N, STP90NF06L
