FQP27N50 时间：2025/8/24 19:16:04 阅读：5

FQP27N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛用于高电压、高电流的开关应用。该器件采用先进的平面技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明系统及各种功率电子设备。FQP27N50采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和电气性能，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：27A
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　封装类型：TO-220

特性

FQP27N50具有多项优异的电气和热特性，适合高功率应用。首先，其最大漏源电压可达500V，使其适用于中高电压系统。其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）仅为0.22Ω，在10V的栅极驱动电压下能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其连续漏极电流额定值为27A，表明其具备较高的电流承载能力，适用于大功率开关应用。
　　在热性能方面，FQP27N50的功率耗散为200W，结合TO-220封装的散热能力，能够在较高负载条件下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种工业环境下的运行需求。另外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的最大Vgs电压，提高了设计的灵活性并增强了抗干扰能力。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和效率。其结构设计优化了电场分布，提高了器件的耐用性和可靠性，适用于长时间运行的工业控制和电源设备。

应用

FQP27N50广泛应用于多种功率电子系统中。首先，在电源管理领域，它可用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器，提供高效的电能转换功能。其次，在电机控制方面，该MOSFET适用于直流电机驱动器、电动工具和工业自动化设备中的功率开关。
　　此外，FQP27N50也常用于LED照明系统、电子镇流器以及各种高亮度照明设备中，作为高频开关元件以提高能效。在家用电器中，如电磁炉、微波炉等，该器件也可用于控制加热元件的功率输出。
　　在工业和通信设备中，FQP27N50用于不间断电源（UPS）、逆变器和电池管理系统，确保电力系统的稳定性和高效性。由于其高可靠性和优异的电气性能，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起动电机控制等应用。