时间：2025/6/30 23:22:22
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FQP19N20C 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件适用于多种开关和功率管理应用场合，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特性。
这款 MOSFET 在设计时考虑了高效能的需求，因此非常适合用作开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场景。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻（典型值）：0.19Ω
栅极电荷：18nC
总电容：350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FQP19N20C 提供了出色的电气性能和可靠性，以下是其主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 具有高雪崩击穿能量（EAS），确保在异常条件下具备更强的耐用性。
4. 优化的封装设计提升了散热性能，使其能够在高温环境中稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
FQP19N20C 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机控制。
3. 电池保护与管理系统中的充放电控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 照明控制，包括 LED 驱动电路。
FQP19N20L, IRF640N
