时间：2025/8/25 6:09:33
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FQP17N06 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换系统而设计，适用于需要中等功率开关能力的应用。FQP17N06 具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，使其成为电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用中的理想选择。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：17A（在 Tc=25°C）
功耗（Pd）：60W
导通电阻（Rds(on)）：约 0.045Ω（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
FQP17N06 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作，具备较强的电流承载能力，适合用于开关电源、马达驱动和电池管理系统等应用。
此外，FQP17N06 提供了良好的热稳定性和较高的工作温度上限（+175°C），使其能够在高温环境下可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽（最高可达 ±20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的控制电路中。
该 MOSFET 还具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升系统的功率密度。FQP17N06 采用 TO-220 或 TO-252 等标准封装，便于散热设计和 PCB 布局，广泛应用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中。
FQP17N06 主要用于各种中高功率的开关电路中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器，如降压（Buck）和升压（Boost）转换器，以实现高效的电源转换。此外，它也广泛应用于电池充电器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统和逆变器电路中。
在工业自动化和控制系统中，FQP17N06 可作为 MOSFET 阵列的一部分，用于驱动继电器、电磁阀和 LED 照明系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）和车用逆变器等应用。
由于其优异的热性能和可靠性，FQP17N06 在需要高稳定性和长寿命的嵌入式系统中也得到了广泛应用。
IRFZ44N, FQP13N06, FQP20N06, FDB047N10, FQA16N60
