FQP17N06 是一款由 Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率电源转换系统而设计,适用于需要中等功率开关能力的应用。FQP17N06 具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,使其成为电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用中的理想选择。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):17A(在 Tc=25°C)
功耗(Pd):60W
导通电阻(Rds(on)):约 0.045Ω(典型值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220、TO-252(DPAK)等
FQP17N06 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高整体效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作,具备较强的电流承载能力,适合用于开关电源、马达驱动和电池管理系统等应用。
此外,FQP17N06 提供了良好的热稳定性和较高的工作温度上限(+175°C),使其能够在高温环境下可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽(最高可达 ±20V),兼容多种驱动电路设计,便于集成到不同的控制电路中。
该 MOSFET 还具备较快的开关速度,适用于高频开关应用,有助于减小外部电感和电容的尺寸,从而提升系统的功率密度。FQP17N06 采用 TO-220 或 TO-252 等标准封装,便于散热设计和 PCB 布局,广泛应用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中。
FQP17N06 主要用于各种中高功率的开关电路中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器,如降压(Buck)和升压(Boost)转换器,以实现高效的电源转换。此外,它也广泛应用于电池充电器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统和逆变器电路中。
在工业自动化和控制系统中,FQP17N06 可作为 MOSFET 阵列的一部分,用于驱动继电器、电磁阀和 LED 照明系统。在汽车电子领域,该器件可用于车载电源管理、电动助力转向系统(EPS)和车用逆变器等应用。
由于其优异的热性能和可靠性,FQP17N06 在需要高稳定性和长寿命的嵌入式系统中也得到了广泛应用。
IRFZ44N, FQP13N06, FQP20N06, FDB047N10, FQA16N60