时间：2025/8/25 2:27:50
阅读：5
FQP15N65是一款由Fairchild（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、高电流的功率开关应用。这款器件的额定电压为650V，最大连续漏极电流可达15A，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。FQP15N65采用TO-220封装，具有良好的热性能和较高的耐用性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：15A
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FQP15N65具备优异的导通特性和快速开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）通常低于0.55Ω，这减少了功率损耗并提高了效率。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在30nC左右，使其在高频开关应用中表现良好。
此外，FQP15N65具备较高的热稳定性和抗过载能力，适合用于需要长时间运行的工业设备和电源系统中。
其TO-220封装提供了良好的散热能力，能够有效降低工作温度并提升整体可靠性。
该MOSFET还具备良好的短路保护能力，能够在极端条件下防止器件损坏。
FQP15N65广泛应用于多种高功率开关电路中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及电机驱动系统。
它还适用于照明设备，如电子镇流器和LED驱动电源。
在工业控制和自动化系统中，该器件常用于高频整流和功率调节电路。
此外，FQP15N65也适用于电池充电器、不间断电源（UPS）和家用电器中的高效能电源模块。
在新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，FQP15N65也常被用于功率转换和管理。
FQA15N65C, FDPF15N65, FDPF15NM65FS, FQP15N65F
