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FQP13N50CF 发布时间 时间:2025/8/24 12:16:14 查看 阅读:3

FQP13N50CF是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造。该器件设计用于高功率开关应用,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于各种电源管理和功率转换电路。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):13A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω @ Vgs = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

FQP13N50CF具有多项优异的电气特性,适用于高功率应用。首先,其500V的漏源电压使其能够在高压环境下稳定工作,适用于开关电源、马达控制和逆变器等设备。其次,该MOSFET的最大连续漏极电流为13A,在适当的散热条件下可以提供高效的功率传输能力。此外,导通电阻为0.38Ω,这在同类器件中属于较低水平,有助于减少导通损耗并提高系统效率。栅源电压范围为±20V,允许灵活的栅极驱动设计,同时具备良好的抗过压能力。该器件的封装形式为TO-220,便于安装和散热,适用于多种PCB布局和散热条件。工作温度范围从-55°C到150°C,使得FQP13N50CF能够在极端环境下稳定运行,表现出良好的热稳定性和可靠性。
  在动态特性方面,FQP13N50CF具有较快的开关速度,适用于高频开关应用。其栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高整体效率。同时,该器件具备良好的抗雪崩能力,能够承受一定的瞬态电压冲击,从而增强系统的稳定性。FQP13N50CF还具有较低的漏极-源极电容(Coss),有助于减少高频开关过程中的寄生振荡问题,提高电路的稳定性。此外,该MOSFET在导通状态下的压降较小,从而减少功率损耗,提升整体能效。这些特性使得FQP13N50CF成为电源转换、DC-AC逆变器、LED照明驱动、工业自动化和电机控制等领域的理想选择。

应用

FQP13N50CF广泛应用于多个电力电子领域。在开关电源(SMPS)中,该器件可用作主开关管,实现高效的能量转换。在逆变器系统中,例如太阳能逆变器或UPS不间断电源系统,FQP13N50CF可用于DC-AC转换,确保稳定的交流输出。此外,该MOSFET也可用于马达驱动器,提供高效可靠的电机控制能力。在LED照明系统中,FQP13N50CF可用于恒流驱动电路,确保LED光源的稳定性和长寿命。工业自动化设备中的功率控制模块也常常采用该器件,以实现精确的电压和电流调节。此外,FQP13N50CF还可用于电池管理系统(BMS)、电焊机、感应加热装置等高功率应用场合。

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FQA13N50C、FQP16N50C、FQB13N50C

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