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FQP13N10L 发布时间 时间:2025/7/9 20:24:17 查看 阅读:5

FQP13N10L是一种N沟道增强型功率MOSFET,属于Fairchild(现为ON Semiconductor)的QFET系列。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各种需要高效能和小尺寸解决方案的电路中。
  FQP13N10L的封装这使其非常适合空间受限的应用场景。它具有较低的阈值电压和良好的动态特性,适用于电源管理、负载开关、电机驱动以及其他便携式电子设备中的开关应用。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:0.56A
  导通电阻:1.8Ω
  总功耗:410mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23

特性

FQP13N10L具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 小型SOT-23封装,节省PCB空间,便于设计紧凑型产品。
  3. 高速开关能力,适合高频操作环境。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  5. 低栅极电荷,简化驱动设计并降低驱动功耗。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的要求。

应用

FQP13N10L适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 便携式电子产品中的电源管理模块。
  4. 小功率直流电机驱动。
  5. LED照明控制。
  6. 各种保护电路,例如过流保护和短路保护。
  7. 数据通信设备中的信号切换功能。

替代型号

AO3401A, SI2302DS, FDN340P

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FQP13N10L参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 6.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
  • 功率 - 最大65W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件