类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在25°C）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.48Ω（当Vgs=10V时）
　　封装形式：TO-220

FQP12N80C具有多项优良的电气特性和物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。其主要特性包括：
　　? 高耐压能力：FQP12N80C的漏极-源极击穿电压高达800V，这使得它适用于高电压环境，例如电力电子变换器和工业控制系统。
　　? 中等电流承载能力：最大连续漏极电流为12A，足以支持中等功率的应用，同时确保了良好的电流调节能力。
　　? 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻典型值为0.48Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　? 高可靠性：该MOSFET采用先进的制造工艺，具有优异的耐用性和稳定性，适合在高温和高湿度环境中运行。
　　? 宽工作温度范围：FQP12N80C可以在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适应多种恶劣的环境条件。
　　? 封装形式：采用TO-220封装，便于散热和安装，适合在各种电路板上使用。
　　这些特性使得FQP12N80C在功率电子领域具有广泛的应用前景。

FQP12N80C主要用于以下领域的电路设计：
　　? 开关电源（SMPS）：由于其高耐压能力和中等电流承载能力，FQP12N80C适用于各种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥式电源转换器。
　　? 电机控制：在电机驱动和控制电路中，FQP12N80C能够有效地控制电机的运行状态，适用于工业自动化设备和家用电器。
　　? 照明系统：在LED驱动电源和电子镇流器等照明应用中，该MOSFET能够提供稳定的开关性能，提高照明系统的效率。
　　? 电池充电器：FQP12N80C适用于各种电池充电设备，能够提供高效的充电控制和保护功能。
　　? 工业控制：在工业自动化和控制系统中，FQP12N80C用于控制各种高电压负载，如继电器、电磁阀和执行器等。
　　这些应用场景均得益于FQP12N80C的高耐压、低导通电阻和高可靠性。

FQA12N80C, FQP13N80C, FQB12N80C