类型：N 沟道
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.42Ω
　　功率耗散（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

FQP12N505C 的核心优势在于其卓越的电性能和可靠性。首先，其 500V 的最大漏极电压使其适用于中高压应用，如 AC/DC 转换器和功率因数校正（PFC）电路。其次，该器件的导通电阻非常低（典型值 ≤0.42Ω），从而显著减少了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　此外，FQP12N505C 的最大漏极电流为 12A，这使其能够处理相对较大的负载电流，适用于多种电源和电机控制场景。其封装为 TO-220，具有良好的散热性能，有助于在高功率条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适合工业级和汽车级应用。其 ±30V 的栅极电压耐受能力也提供了更高的设计灵活性，可以兼容多种驱动电路。
　　最后，FQP12N505C 在设计上优化了开关性能，具有快速的上升和下降时间，从而降低了开关损耗，并提高了高频应用中的效率。

FQP12N505C 主要用于需要高电压和较高功率的电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）模块、直流-直流转换器（DC-DC Converter）、电机驱动器和工业自动化控制系统。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关元件，负责高效地切换高电压和大电流负载。
　　此外，FQP12N505C 也广泛应用于 LED 照明系统和电子镇流器中，用于控制和调节高功率 LED 的电流。由于其低导通电阻和高效率特性，它在这些应用中能够有效减少发热，提高系统的稳定性和寿命。
　　在消费类电子产品中，FQP12N505C 也常用于电池充电器、逆变器和 UPS（不间断电源）系统，作为核心的功率开关器件。在这些场景中，它能够确保系统在高负荷条件下的稳定运行，并提供良好的能效表现。

FQA12N50C, IRFBC20, FQP13N50C, FQA16N50C