您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FQP10N20C

FQP10N20C 发布时间 时间:2025/7/9 15:54:51 查看 阅读:7

FQP10N20C是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件由Fairchild(现为ON Semiconductor的一部分)生产,广泛用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用中。FQP10N20C具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频条件下提供高效的性能。
  这款MOSFET的最大漏源电压为200V,使其适合于高压应用场景。其设计注重提高效率和降低功耗,同时保证了良好的热特性和可靠性。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:10A
  栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.75Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗:125W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

FQP10N20C具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,能够有效减少传导损耗。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,降低了开关损耗。
  4. 较高的漏源电压额定值(200V),适用于多种高压应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 稳定的工作性能,即使在极端温度条件下也能保持高可靠性。
  FQP10N20C的设计综合考虑了效率、可靠性和成本效益,是许多电力电子设计中的理想选择。

应用

FQP10N20C适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 直流-直流转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池保护和负载开关。
  5. 逆变器和UPS系统中的关键功率元件。
  6. 工业控制设备中的功率调节。
  由于其较高的电压和电流能力,FQP10N20C特别适合需要处理较大功率的应用场合。

替代型号

FQP10N20,
  STP10NM20,
  IRF540N

FQP10N20C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FQP10N20C资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FQP10N20C参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 4.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大72W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件