时间：2025/7/9 15:54:51
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FQP10N20C是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件由Fairchild（现为ON Semiconductor的一部分）生产，广泛用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用中。FQP10N20C具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够在高频条件下提供高效的性能。
这款MOSFET的最大漏源电压为200V，使其适合于高压应用场景。其设计注重提高效率和降低功耗，同时保证了良好的热特性和可靠性。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（在Vgs=10V时）
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FQP10N20C具有以下显著特性：
1. 低导通电阻，能够有效减少传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，支持高频操作，降低了开关损耗。
4. 较高的漏源电压额定值（200V），适用于多种高压应用。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 稳定的工作性能，即使在极端温度条件下也能保持高可靠性。
FQP10N20C的设计综合考虑了效率、可靠性和成本效益，是许多电力电子设计中的理想选择。
FQP10N20C适用于以下典型应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护和负载开关。
5. 逆变器和UPS系统中的关键功率元件。
6. 工业控制设备中的功率调节。
由于其较高的电压和电流能力，FQP10N20C特别适合需要处理较大功率的应用场合。
FQP10N20,
STP10NM20,
IRF540N
