FQP10N20C是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件由Fairchild(现为ON Semiconductor的一部分)生产,广泛用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用中。FQP10N20C具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频条件下提供高效的性能。
这款MOSFET的最大漏源电压为200V,使其适合于高压应用场景。其设计注重提高效率和降低功耗,同时保证了良好的热特性和可靠性。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:10A
栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):0.75Ω(在Vgs=10V时)
总功耗:125W
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
FQP10N20C具有以下显著特性:
1. 低导通电阻,能够有效减少传导损耗。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关速度,支持高频操作,降低了开关损耗。
4. 较高的漏源电压额定值(200V),适用于多种高压应用。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 稳定的工作性能,即使在极端温度条件下也能保持高可靠性。
FQP10N20C的设计综合考虑了效率、可靠性和成本效益,是许多电力电子设计中的理想选择。
FQP10N20C适用于以下典型应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护和负载开关。
5. 逆变器和UPS系统中的关键功率元件。
6. 工业控制设备中的功率调节。
由于其较高的电压和电流能力,FQP10N20C特别适合需要处理较大功率的应用场合。
FQP10N20,
STP10NM20,
IRF540N