类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A（在Tc=100℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQN1N60CTR的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压为600V，使其适用于高电压输入的开关电源和工业控制设备。此外，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时可低至2.5Ω以下，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其栅极驱动电压范围宽广，支持+10V至+20V的驱动电压，兼容多种驱动电路设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性与可靠性，采用优化的平面工艺技术，确保在高温工作环境下仍能保持稳定的电气性能。同时，FQN1N60CTR具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。封装方面，TO-252（DPAK）形式不仅节省空间，而且便于焊接与自动化生产，适用于表面贴装技术（SMT）流程。
　　此外，FQN1N60CTR内部结构设计优化，具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高压下保持器件安全运行。其封装内部引线电感较低，有助于减少高频开关时的电磁干扰（EMI）。综合来看，这些特性使FQN1N60CTR成为一款性能优良、适用于多种功率应用的MOSFET。

FQN1N60CTR主要应用于各种功率电子系统中，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动电源等。在这些应用中，FQN1N60CTR作为主开关器件，负责高频开关操作，将输入电压转换为所需的输出电压，同时提高电源转换效率。
　　此外，该器件还可用于电机控制电路、负载开关和继电器替代方案，特别是在需要高耐压能力和中等电流承载能力的场合。例如，在家用电器、工业自动化设备和通信电源系统中，FQN1N60CTR可以作为主控开关，实现对负载的高效控制。
　　由于其表面贴装封装设计，FQN1N60CTR也非常适合用于紧凑型电源模块和需要自动化生产的电子产品中。这种封装形式不仅提高了生产效率，还有助于改善散热性能，确保在高功率密度设计中保持良好的工作稳定性。

FQP1N60C、FQA1N60C、2SK2545、2SK1318