时间：2025/5/10 10:56:29
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FQFP8N60C是一款高性能的MOSFET功率场效应晶体管，采用TO-252封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。其额定电压为600V，能够承受较高的反向电压，同时具备低导通电阻特性，从而提高了效率并降低了功耗。
FQFP8N60C的设计旨在满足高效率、高可靠性的电力电子应用需求，其快速开关特性和低电荷特性使其非常适合高频开关应用。此外，该器件具有出色的热稳定性和鲁棒性，能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：8A
栅源电压：±20V
导通电阻：1.6Ω
总栅极电荷：29nC
开关时间：开启延迟时间 75ns，关断传播时间 45ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 额定电压高达600V，适合高压应用场景。
2. 导通电阻较低，可有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提高系统效率。
4. 采用标准TO-252封装，便于安装和散热设计。
5. 工作温度范围宽广，适应各种环境条件。
6. 总栅极电荷小，驱动功耗低，简化驱动电路设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载开关和保护电路中的隔离元件。
5. 各类工业控制设备中的功率管理组件。
6. 汽车电子系统的功率开关应用。
IRF840,
STP8NS60,
FQP8N60
