时间：2025/8/24 14:39:01
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FQE10N20C 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源管理系统。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性，非常适合用于电源转换、DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏-源电压：200V
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω @ Vgs=10V
栅极电压范围：-30V ~ +30V
功耗：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FQE10N20C 的主要特性之一是其优异的导通性能，导通电阻仅为 0.65Ω，在 Vgs=10V 时能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备高达 200V 的漏-源击穿电压，使其适用于中高功率的电源应用，例如开关电源（SMPS）和逆变器系统。
该 MOSFET 使用了飞兆半导体的先进平面工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性。在高温环境下仍能保持稳定的性能，其最大功耗为 125W，并支持在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作，适应各种严苛的工业环境。
另一个显著优势是其快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。FQE10N20C 还具有较高的栅极耐压能力，支持 -30V 至 +30V 的栅极电压范围，从而在驱动电路设计中提供更大的灵活性，避免因过压而导致的损坏。
FQE10N20C 主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的电源系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及 UPS（不间断电源）系统。在这些应用中，该器件能够提供高效、稳定的功率控制，减少能量损耗并提高系统整体效率。
在工业自动化和电机控制领域，FQE10N20C 可用于 H 桥电路和 PWM 控制系统，实现精确的电机调速和方向控制。此外，该器件也广泛用于 LED 照明驱动、电池管理系统和太阳能逆变器等新能源领域。
由于其良好的热性能和高可靠性，FQE10N20C 也适合用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等应用场景。
STP10NK20Z, IRF820, FQA10N20C, 2SK2141
