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FQD9N08L 发布时间 时间:2025/7/1 1:25:35 查看 阅读:6

FQD9N08L 是一款 N 沣道 场效应晶体管(N-Channel MOSFET),适用于多种开关和功率转换应用。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够在高效率的应用场景中提供稳定的性能。
  该型号通常用于电源管理、电机驱动、负载开关等电路设计,能够承受较高的电流和电压,同时保持低损耗。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关时间:典型值 15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FQD9N08L 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频工作环境。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下也能保持可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子制造需求。
  5. 小型封装设计(如 DPAK 或 SO-8),节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。

应用

FQD9N08L 的典型应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
  4. 电机控制和驱动电路中的功率开关。
  5. 各种工业自动化设备中的信号切换和功率处理。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP14NF06L

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