时间：2025/6/20 12:51:34
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FQD9N08是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高效率。
其封装形式通常为TO-252（DPAK）或TO-263，适合表面贴装工艺，从而提高了电路板的空间利用率。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9A
导通电阻：17mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻确保在高电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关速度有助于提高系统的整体效率。
3. 较高的雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性。
4. 具备反向恢复电荷低的特点，适用于高频开关应用。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端和低端开关。
3. 电机驱动和电池保护电路。
4. 负载开关及过流保护电路。
5. 各种工业自动化控制领域中的电子开关。
IRF7404
AO3400
FQP17N06
