FQD8910是一款由Fairchild(飞兆半导体,现属于安森美半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及负载开关等场景。FQD8910采用先进的平面沟槽栅极技术,提供了优异的导通电阻(Rds(on))和开关性能之间的平衡。该MOSFET具有较高的电流承载能力以及良好的热稳定性,适用于各种中高功率电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):8.9mΩ(典型值,Vgs=10V)
封装类型:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
最大功耗(Pd):125W
FQD8910采用先进的PowerTrench?技术,这种技术通过优化沟槽结构和掺杂分布,显著降低了导通电阻并提高了开关性能。在实际应用中,这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为8.9mΩ,使其非常适合用于高电流、高频率的开关电路。
FQD8910的封装采用TO-252(DPAK)形式,具有良好的热管理能力,能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。其最大连续漏极电流可达60A,在高温环境下仍能维持较高的电流承载能力,适用于要求高可靠性的工业和汽车电子应用。
此外,FQD8910具备较强的抗雪崩能力,能够承受短时间的高能量应力,提高了器件在复杂工作环境中的稳定性。其栅极驱动电压范围为±20V,适用于常见的PWM控制器驱动电路。该器件的开启阈值电压较低,确保在低电压控制系统中也能可靠导通。
由于其优异的电气性能和坚固的封装结构,FQD8910广泛用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池管理系统以及负载开关等场合。其高效率和低损耗特性使其成为许多高功率密度应用的理想选择。
FQD8910适用于多种高功率和高频应用,包括但不限于:
1. **DC-DC转换器**:FQD8910的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于升压(Boost)和降压(Buck)转换器,尤其适用于高效率、高功率密度的电源模块。
2. **同步整流器**:在AC-DC电源和隔离式DC-DC变换器中,FQD8910可用于同步整流电路,以替代传统二极管,从而显著提高转换效率。
3. **电机驱动与控制**:FQD8910能够承受较高的连续和瞬态电流,适用于电机驱动、H桥逆变器以及机器人控制系统。
4. **电池管理系统(BMS)**:FQD8910可用作电池充放电路径的开关器件,其低Rds(on)有助于减少能量损耗并提高系统安全性。
5. **负载开关**:FQD8910可作为高侧或低侧负载开关,用于控制大功率负载的通断,如LED照明、加热元件和风扇等。
FQPF8910, FDB8910, FDMS8910, SiSS8910