时间：2025/5/23 15:38:18
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FQD7N20是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子设备中。其主要特点是低导通电阻和高击穿电压，能够提供高效的功率转换和良好的热性能。
FQD7N20的设计使其能够在高压条件下稳定工作，并具备快速开关速度以减少开关损耗。此外，该芯片还具有较低的栅极电荷，有助于提高整体系统的效率。
最大漏源电压：200V
最大连续漏电流：7A
最大脉冲漏电流：35A
最大功耗：40W
结温范围：-55℃至150℃
导通电阻：0.28Ω
栅极电荷：16nC
输入电容：520pF
总电容：1650pF
存储温度范围：-55℃至150℃
1. 高击穿电压（200V），适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（0.28Ω），降低导通损耗，提升效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频电路。
4. 较低的栅极电荷，简化驱动设计并降低驱动功耗。
5. 良好的热稳定性，支持长时间稳定运行。
6. 封装形式为TO-220，便于安装与散热设计。
7. 广泛的工作温度范围（-55℃至150℃），适应多种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流/直流转换器
3. 电机驱动和控制
4. 逆变器
5. LED驱动电路
6. 工业自动化设备
7. 电池充电管理系统
8. 其他需要高效功率转换的场合
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