FQD6N50C是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等应用。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款MOSFET主要由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产,广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中。
最大漏源电压:500V
最大连续漏极电流:6A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):1.3Ω(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:115W
结温范围:-55℃至+150℃
栅极电荷:25nC(典型值)
输入电容:870pF(典型值)
开关时间:ton=90ns,toff=48ns(典型值)
FQD6N50C具有以下关键特性:
1. 高耐压能力:最大漏源电压为500V,适合高压环境下的应用。
2. 快速开关性能:极低的开关时间和栅极电荷,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
3. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为1.3Ω,降低了导通损耗。
4. 高可靠性:具备雪崩击穿能力和较强的抗静电能力。
5. 热稳定性:能够在较宽的温度范围内工作,适应各种恶劣环境。
6. 封装形式:采用标准的TO-220封装,易于安装和散热设计。
FQD6N50C适用于多种电力电子应用场景:
1. 开关电源:作为主开关管,用于AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的运行。
3. 逆变器:用于光伏逆变器和UPS不间断电源中的功率变换。
4. 电池充电器:实现高效充电管理。
5. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器中的功率控制。
6. 消费类电子产品:例如电视机、显示器和音响设备中的电源管理模块。
IRF650N
FQP13N50
STP12NK50Z