时间：2025/4/30 10:05:50
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FQD5P20TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率切换的电路中。其低导通电阻和高击穿电压特性使其非常适合于要求高效率和高可靠性的应用环境。
该器件在设计上优化了开关性能，具有较低的栅极电荷和快速的开关速度，从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：48nC（典型值）
开关时间：ton=14ns，toff=25ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQD5P20TM 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压 (60V)，确保在较高电压环境下运行稳定。
2. 极低的导通电阻 (1.8mΩ)，有效减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，具备低栅极电荷和短开关时间，适合高频开关应用。
4. 采用标准 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
5. 工作温度范围宽 (-55℃ 至 +150℃)，适用于恶劣环境下的工业与汽车应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
FQD5P20TM 可用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
6. 高效 LED 驱动器设计中的关键元件。
FQP50N06L
IRFZ44N
STP30NF06L
