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FQD5P20 发布时间 时间:2025/5/26 15:38:10 查看 阅读:13

FQD5P20是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的场合。其设计特点是低导通电阻和快速开关特性,有助于提高效率并降低功耗。
  FQD5P20采用了先进的制造工艺,确保了出色的电气性能和可靠性。由于其封装形式和电气参数适合多种应用需求,因此在消费电子、工业控制以及汽车电子领域中都有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关时间:ton=18ns, toff=27ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

FQD5P20具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频操作需求。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 采用TO-220封装形式,便于安装和散热管理。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特点使得FQD5P20成为高效率、高性能功率转换和控制应用的理想选择。

应用

FQD5P20适用于广泛的电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节。
  3. 各类电机驱动电路,例如步进电机和无刷直流电机。
  4. 汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的继电器替代和功率管理。
  通过利用FQD5P20的高效特性和高可靠性,可以显著优化系统的整体性能。

替代型号

IRF540N
  STP12NF06L
  FDP5502
  IXFK12N6L2

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