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FQD5N60CTM 发布时间 时间:2025/5/13 11:56:08 查看 阅读:21

FQD5N60CTM是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的领域。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够满足多种高压应用场景的需求。
  这款MOSFET的主要特点是其耐压能力较强,适合用于高压电路设计,同时具备良好的开关特性和较低的导通损耗,能够提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:600V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:5.8A
  脉冲漏极电流:13.8A
  导通电阻:4.9Ω
  总栅极电荷:36nC
  输入电容:1080pF
  输出电容:700pF
  反向传输电容:210pF
  功耗:145W

特性

FQD5N60CTM具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压(600V),适用于高压应用环境。
  2. 低导通电阻(4.9Ω),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关速度,可有效降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,能够在较高温度环境下可靠运行。
  5. 小型化TO-220封装,便于安装和散热设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

FQD5N60CTM适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 逆变器及光伏系统中的功率调节模块。
  5. 各类工业自动化设备中的功率管理部分。
  6. 电池充电管理系统中的充放电控制电路。

替代型号

IRF540N
  FQP50N06L
  STP55NF06
  IXTP5N60P
  AO3400

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FQD5N60CTM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FQD5N60CTM-NDFQD5N60CTMTR