时间：2025/5/13 11:56:08
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FQD5N60CTM是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的领域。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够满足多种高压应用场景的需求。
这款MOSFET的主要特点是其耐压能力较强，适合用于高压电路设计，同时具备良好的开关特性和较低的导通损耗，能够提高系统的整体效率。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.8A
脉冲漏极电流：13.8A
导通电阻：4.9Ω
总栅极电荷：36nC
输入电容：1080pF
输出电容：700pF
反向传输电容：210pF
功耗：145W
FQD5N60CTM具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻（4.9Ω），有助于减少导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度，可有效降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠运行。
5. 小型化TO-220封装，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
FQD5N60CTM适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 逆变器及光伏系统中的功率调节模块。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理部分。
6. 电池充电管理系统中的充放电控制电路。
IRF540N
FQP50N06L
STP55NF06
IXTP5N60P
AO3400
