FQD4N60C 时间：2025/12/23 16:04:16 阅读：14

FQD4N60C 是一款 N 沣道通（Fairchild）公司生产的高压功率场效应晶体管（MOSFET）。它属于 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及各类高电压切换电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点，非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
　　这款 MOSFET 的额定漏源极击穿电压为 600V，能够承受较高的电压环境，同时其最大导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提升系统效率。

参数

漏源击穿电压：600V
　　连续漏极电流：5.2A
　　导通电阻（典型值）：1.3Ω
　　栅极电荷：19nC
　　输入电容：750pF
　　最大功耗：15W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FQD4N60C 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，可支持高达 600V 的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在特定条件下仅为 1.3Ω，有效降低了传导损耗。
　　3. 快速开关性能，拥有较小的栅极电荷（19nC），从而减少了开关损耗。
　　4. 优秀的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内正常运行。
　　5. 小封装设计，便于 PCB 布局和安装，同时节省空间。
　　6. 高可靠性，经过严格的质量控制流程，适合工业级和商业级应用。

应用

FQD4N60C 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
　　2. 直流电机驱动和控制电路。
　　3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　4. 荧光灯电子镇流器。
　　5. 各类高压开关应用，如固态继电器和电磁阀驱动。
　　6. 电池充电管理电路中的功率调节单元。