FQD4N60 时间：2025/5/21 13:08:10 阅读：15

FQD4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，广泛应用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，FQD4N60成为众多工程师在设计高效能功率转换电路时的首选器件。

参数

最大漏源极电压：600V
　　连续漏极电流：4.3A
　　导通电阻：1.7Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：29nC（典型值）
　　总功耗：1.3W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

FQD4N60具备以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：其600V的最大漏源极电压使其适用于高压应用环境。
　　2. 低导通电阻：仅1.7Ω（典型值），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关速度：低栅极电荷特性允许快速开关操作，减少开关损耗。
　　4. 小尺寸封装：TO-252封装提供了紧凑的设计选项，节省PCB空间。
　　5. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作温度范围，适应恶劣的工作条件。

应用

FQD4N60可广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器件使用。
　　2. DC-DC转换器：提供高效的功率转换功能。
　　3. 电机驱动：适用于小型直流电机控制。
　　4. 负载开关：保护电路免受过流或其他异常情况影响。
　　5. 其他工业和消费类电子设备中的功率管理模块。