FQD4N25S 时间：2025/12/29 15:27:09 阅读：10

FQD4N25S 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压和高电流的应用，具有低导通电阻、高耐压和快速开关性能的特点。FQD4N25S采用TO-252封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在各种功率电子设备中集成。它常用于DC-DC转换器、电源管理、马达控制和负载开关等应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252

特性

FQD4N25S MOSFET具有多个关键特性，使其适用于各种高电压和高效率功率应用。首先，其250V的漏源电压额定值使其适用于高压电路，能够承受较高的电压应力。此外，该器件的导通电阻较低，最大值为1.5Ω，有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其4.4A的连续漏极电流能力也使其适合中等功率的应用。
　　另一个显著特性是其快速开关能力，FQD4N25S具有较低的输入电容（CISS）和较小的栅极电荷（QG），有助于实现高速开关操作，从而减少开关损耗。这使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制系统。
　　该器件的TO-252封装不仅便于表面贴装，还具有良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到PCB板上，提升器件的可靠性和稳定性。此外，FQD4N25S的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），适用于各种工业环境。

应用

FQD4N25S MOSFET广泛应用于多个领域，尤其是在功率管理和电源转换方面。它常用于AC-DC和DC-DC转换器中的开关元件，以提高能效并减小电源体积。此外，该器件还可用于马达驱动器和继电器驱动电路，提供高效的负载控制。
　　在电池管理系统中，FQD4N25S可用于电池充放电控制，实现高效的能量管理。它也适用于逆变器设计，如UPS（不间断电源）和太阳能逆变器，以实现高效率的直流到交流转换。由于其具备良好的开关性能和较高的耐压能力，该MOSFET还被广泛用于工业自动化设备中的负载开关和隔离电路。