FQD4N25是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关和放大应用,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种功率转换电路。其电压等级为250V,能够承受较大的漏源极电压,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
FQD4N25广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及负载切换等场景,是电力电子领域中常见的功率半导体器件。
最大漏源极电压:250V
最大栅源极电压:±20V
持续漏极电流:4A
导通电阻(Rds(on)):3.5Ω(典型值,在Vgs=10V时)
功耗:75W
结温范围:-55℃至+150℃
FQD4N25具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,最大漏源极电压达到250V,适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻,可减少功率损耗,提高系统效率。
3. 快速开关特性,有助于降低开关损耗并提升高频性能。
4. 稳定的静态和动态参数,确保在不同工作条件下的可靠运行。
5. 良好的温度特性,能够在较宽的温度范围内保持性能一致性。
6. 封装形式通常为TO-220,便于散热和安装。
FQD4N25主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路,用于控制直流或步进电机的速度和方向。
3. 逆变器设计,实现直流到交流的转换。
4. 各类负载切换电路,例如LED驱动、电池充电管理等。
5. 保护电路,如过流保护、短路保护等。
IRF840, K1008, FQP12N25