时间：2025/5/29 23:58:22
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FQD3N50C是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件能够承受高达500V的漏源极电压，并具备快速开关特性，适合高频应用。
最大漏源极电压：500V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（典型值）：1.4Ω
总功耗：105W
结温范围：-55℃至+150℃
栅极电荷：18nC
反向恢复时间：45ns
FQD3N50C具有以下特点：
1. 高击穿电压，适用于高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频电路。
4. 稳定的工作性能，在高温条件下仍能保持良好的电气特性。
5. TO-220封装，便于安装与散热设计。
6. 提供优秀的雪崩能力，增加系统可靠性。
这款MOSFET适用于多种电力电子应用，包括但不限于开关电源中的功率转换、电机控制、DC-DC变换器、逆变器电路、电磁阀驱动以及工业自动化设备中的功率管理模块。其高耐压特性和低损耗表现使其成为这些领域中理想的功率开关元件。
IRF540N
FQP14N50
STP55NF06L
