时间：2025/8/24 17:48:04
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FQD3N50/C是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种高功率和高频率的开关电路中。这款MOSFET具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性，适用于电源转换器、马达驱动器和负载开关等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：3A
最大漏-源电压：500V
最大栅-源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.5Ω
栅极电荷：13nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FQD3N50/C的主要特性包括其高电压耐受能力和较低的导通电阻，使其在高效率的开关应用中表现优异。该器件的快速开关特性减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，其热稳定性和过载保护能力也使其适用于严苛的工作环境。
这款MOSFET采用了先进的平面技术，确保了在高温下的稳定性能。其封装设计提供了良好的散热效果，能够有效降低工作温度对器件性能的影响。FQD3N50/C还具有较高的雪崩能量耐受能力，使其在突发过电压情况下能够保持稳定运行。
FQD3N50/C常用于各类电源管理系统，包括AC/DC和DC/DC转换器、马达控制电路、电池充电器以及工业自动化设备中的负载开关。此外，它也适用于需要高可靠性和高稳定性的消费类电子产品和工业控制系统。
FQP3N50C, FQA3N50C
