时间：2025/12/29 14:44:54
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FQD3N25TM 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性等特点。其采用 TO-252（DPAK）封装形式，适合用于中等功率的 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：250 V
最大漏极电流 Id（连续）：3.5 A
导通电阻 Rds(on)：典型值 2.7 Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 Qg：典型值 10 nC
最大功耗（Tc=25°C）：2 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FQD3N25TM 具有低导通电阻特性，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
该 MOSFET 采用先进的平面工艺制造，确保了良好的稳定性和可靠性。其热阻较低，能够在高环境温度下保持良好的散热性能，从而提高系统的整体热稳定性。
为了增强其在恶劣环境中的耐受能力，FQD3N25TM 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬间过压或感性负载切换时保护器件不被损坏。这种特性使其适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。
此外，该器件的封装设计有助于简化 PCB 布局，并提供良好的热管理和机械稳定性，适合自动化装配流程。
FQD3N25TM 主要应用于中等功率的开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池充电器、负载开关、马达控制电路以及工业自动化设备中的功率开关控制。其优异的性能也使其适用于太阳能逆变器、UPS 系统和智能电表等新兴应用领域。
FQP3N25C, IRF830, FQA3N25C
