类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQD30N06-L 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 40mΩ，使其适用于高电流应用。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关条件下降低驱动损耗。
　　此外，FQD30N06-L 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和散热能力，适合在紧凑型设计中使用。该封装形式也便于 PCB 布局和焊接，增强了产品的可靠性。
　　该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。其栅极氧化层设计增强了器件的抗静电能力和长期稳定性，从而提高了在严苛环境下的耐用性。
　　由于其高电流容量和低 Rds(on)，FQD30N06-L 可用于高效能 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统中。此外，其良好的热特性和封装设计使其适用于需要良好散热性能的高密度功率应用。

FQD30N06-L 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：高效 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机控制器、负载开关、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
　　在服务器电源和电信设备中，该器件用于高效率功率转换模块，以提高能源利用率。在电动车和储能系统中，FQD30N06-L 可用于电池管理系统中的高侧或低侧开关，实现对电池充放电的精确控制。
　　此外，该 MOSFET 还可用于消费类电子产品中的电源管理电路，如笔记本电脑适配器、智能电源插座以及智能家电中的功率调节模块。

FDV30N06L, FQP30N06L, IRFZ44N