类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：2.5A（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：900V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

FQD2N90 MOSFET 具有以下关键特性：
　　1. **高耐压能力**：该器件的漏极-源极击穿电压高达900V，使其适用于高电压环境，如高压电源和工业控制设备。
　　2. **低导通电阻**：FQD2N90 的典型导通电阻约为2.5Ω，有助于减少导通损耗，提高能效。
　　3. **快速开关性能**：该MOSFET具有快速的开关响应能力，适合用于高频开关电路，提高转换效率并减小外围元件尺寸。
　　4. **热稳定性好**：由于其良好的热性能设计，FQD2N90 能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于散热条件有限的应用场景。
　　5. **封装多样**：提供TO-220和TO-252（DPAK）等多种封装形式，便于不同PCB布局需求，适应表面贴装和插件安装。
　　6. **保护功能**：具有一定的抗静电和过温保护能力，增强器件在复杂电气环境下的可靠性。
　　7. **驱动能力强**：支持较高的栅极驱动电压，确保快速且稳定的开关操作。

FQD2N90 MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：如AC-DC适配器、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于高电压转换和高效能电源设计。
　　2. **电机控制**：在电机驱动电路中作为开关使用，实现对电机启停和速度的精确控制。
　　3. **照明系统**：适用于LED驱动电路、高压灯电源管理，提供稳定的电流和电压控制。
　　4. **工业自动化**：用于工业设备中的电源开关、继电器替代和负载控制，提高系统的响应速度和稳定性。
　　5. **消费类电子产品**：如智能家电、充电器、电源插座等，提供高效的电源管理方案。

FQA2N90、FQP2N90、IRF840、STP9NK90Z