时间：2025/4/28 13:13:43
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FQD2N80是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够有效地减少功率损耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：800V
最大漏极电流：2A
栅源开启电压：4V~10V
导通电阻：2.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：75W
结温范围：-55℃~150℃
FQD2N80具备高雪崩击穿能力和快速开关速度，能够在高频应用中保持较低的开关损耗。
其低导通电阻设计有助于降低传导损耗，从而提升能效表现。
此外，该器件的高耐压性能使其非常适合高压电路环境中的开关应用。
FQD2N80还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
FQD2N80主要应用于以下领域：
1. 开关电源和DC-DC转换器中的高频开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制开关。
3. 各种负载切换电路。
4. 电磁阀和继电器驱动。
5. 高压脉冲发生器和其他需要高耐压特性的电子设备。
IRF840, K1106, STP2NB80
