时间：2025/8/24 23:54:31
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FQD2N60CS 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：2.0A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω（在VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±30V
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
FQD2N60CS MOSFET具备优异的热稳定性和高可靠性，适合在高温环境下工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用。FQD2N60CS还具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。封装设计有利于散热，便于安装在散热片上以提高热管理性能。
FQD2N60CS常用于电源适配器、充电器、LED驱动器、开关电源（SMPS）、逆变器、UPS系统、电机驱动器和工业自动化设备等功率电子应用中。
FQP2N60C、2N60C、FQA2N60C
