FQD2N60CS 是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):600V
最大漏极电流(ID):2.0A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大2.5Ω(在VGS=10V)
栅极电压(VGS):±30V
功耗(PD):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
FQD2N60CS MOSFET具备优异的热稳定性和高可靠性,适合在高温环境下工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具备快速开关能力,适用于高频开关应用。FQD2N60CS还具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能,使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。封装设计有利于散热,便于安装在散热片上以提高热管理性能。
FQD2N60CS常用于电源适配器、充电器、LED驱动器、开关电源(SMPS)、逆变器、UPS系统、电机驱动器和工业自动化设备等功率电子应用中。
FQP2N60C、2N60C、FQA2N60C