时间：2025/5/7 13:21:27
阅读：8
FQD2N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于各种开关和功率管理电路中，如开关电源、电机驱动、逆变器等。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性，非常适合高频应用环境。
这款MOSFET由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）制造，能够提供出色的性能表现，尤其是在高压条件下。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：4.3A
最大脉冲漏极电流：15A
导通电阻：2.8Ω
总栅极电荷：25nC
输入电容：470pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FQD2N60C具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（600V），适合于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（2.8Ω典型值），有助于减少导通损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，得益于其较小的总栅极电荷。
4. 良好的热稳定性，在极端温度范围内仍能保持稳定的性能。
5. 小巧封装设计，易于集成到紧凑型系统中。
此款MOSFET适用于广泛的电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 各种类型的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
4. LED照明控制及调光。
5. 电池充电器以及其他需要高效功率管理的场合。
IRF640N, STP12NM60, FDN60C
