时间：2025/7/9 15:51:17
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FQD25N06是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
其额定电压为60V，适合中低压应用场合，同时具备快速开关特性和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：13nC
总电容（输入电容）：900pF
开关时间：ton=74ns, toff=28ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高效性能：FQD25N06的低导通电阻显著降低了传导损耗，从而提升了整体效率。
2. 快速开关：得益于较小的栅极电荷，此MOSFET在高频应用中表现出色，减少了开关能量损失。
3. 热稳定性强：允许的工作温度范围较宽，确保在极端条件下依然可靠运行。
4. 保护功能：内置雪崩击穿保护机制，增强了器件在异常情况下的耐用性。
5. 封装优势：TO-220封装提供了良好的散热性能，并且易于集成到各种电路板设计中。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关，用于调节输出电压。
3. 电动工具及家用电器内的电机控制。
4. 各种负载切换场景，如汽车电子系统的继电器替代方案。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
IRFZ44N
STP25NF06
FDP25N06L
