时间：2025/4/28 9:08:32
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FQD24N08是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率控制电路中。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高频和高效能应用中使用。
作为功率开关器件，FQD24N08能够承受较高的漏源电压，并且具备较低的导通损耗，使其成为中小功率电子设备的理想选择。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.3Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.1W
结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 小型化TO-252封装，节省PCB空间。
5. 热稳定性好，能够在较宽温度范围内可靠工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电池管理系统的充电/放电控制。
4. 消费类电子产品中的负载切换。
5. 电机驱动和保护电路。
6. LED驱动及背光控制。
IRF7407
AO3400
FQP27P06
