时间：2025/7/7 10:37:52
阅读：17
FQD19N10TF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用TO-252封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合需要高效功率转换的应用场景。
这款MOSFET的设计目标是提供出色的电气性能，同时保持高可靠性和稳定性，广泛适用于消费电子、工业控制和通信设备中的各种电路。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9A
导通电阻：65mΩ
栅极电荷：13nC
开关时间：典型值t_on=18ns，t_off=27ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQD19N10TF的主要特性包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频操作需求。
3. 较高的雪崩耐量能力，增强了在异常情况下的可靠性。
4. 小型化的TO-252封装，节省了PCB空间，同时具备良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器或主开关元件。
2. DC/DC转换器中作为高频开关使用。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载切换与保护电路。
5. 各种便携式电子产品中的电池管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFZ44N
STP13NK06Z
FDP18N10
IXTH14N10P3
