时间：2025/12/23 16:08:31
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FQD19N10L是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中低功率应用中的开关和负载驱动。该器件采用逻辑电平栅极驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压实现导通状态，非常适合电池供电设备、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。
其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和紧凑的设计特点。
最大漏源电压Vds：100V
连续漏极电流Id：18A
栅极阈值电压Vgs(th)：2.1V
导通电阻Rds(on)：0.07Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：130W
工作结温范围Tj：-55℃ to +150℃
FQD19N10L具有低导通电阻Rds(on)，可显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，由于其低栅极电荷Qg，开关速度较快，有助于减少开关损耗。
此外，这款MOSFET支持逻辑电平驱动，允许使用较低的栅极驱动电压（如3.3V或5V），简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。
该器件还具备较高的雪崩击穿能量吸收能力，增强了其在异常条件下的可靠性。其紧凑的TO-252封装也使得它易于集成到空间受限的应用中。
FQD19N10L广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率开关
2. 电机控制和驱动电路
3. 电池保护和管理系统（BMS）
4. LED驱动器
5. 消费类电子产品中的负载切换
6. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输
IRFZ44N
STP19NF10
FDP19N10
