时间：2025/5/7 17:14:04
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FQD17N08LTM 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。该器件适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理电路等。其低导通电阻和快速开关性能使其成为高效能电子系统中的理想选择。
此 MOSFET 具有出色的电气特性和良好的热稳定性，能够承受较高的电流负载并保持较低的功耗。
型号：FQD17N08LTM
封装：TO-252
最大漏源电压 Vds：80V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：17A
导通电阻 Rds(on)：40mΩ @ Vgs=10V
总功耗 Ptot：36W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQD17N08LTM 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：高达 80V 的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻：Rds(on) 在典型条件下仅为 40mΩ，显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能：优化的电荷设计使得开关速度更快，减少开关损耗。
4. 优秀的热性能：封装设计支持高效的热量散发，从而提高可靠性。
5. 小巧紧凑的封装：TO-252 封装节省了 PCB 空间，适合紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准：绿色环保，满足国际环保法规要求。
FQD17N08LTM 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS)，用于保护和控制电池充放电过程。
3. 电机驱动和控制电路，适用于家用电器及工业自动化设备。
4. 负载切换和保护电路，提供过流、短路保护功能。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
6. 照明系统的调光与驱动控制，如 LED 照明。
FQD17N08LTM 凭借其高性能和可靠性，在各种电力转换和控制场景中表现优异。
FQP17N06L, IRLZ44N, FDN337AN
