时间：2025/5/23 22:05:36
阅读：10
FQD16N25C是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其耐压值为250V，适合在中高电压环境下工作。
该MOSFET的设计使其能够在高频条件下高效运行，并且由于其低导通电阻特性，能够显著减少传导损耗，提高系统的整体效率。
最大漏源电压：250V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
脉冲漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
总功耗：175W
结温范围：-55℃至175℃
FQD16N25C具有以下主要特性：
1. 耐高压设计，最高支持250V漏源电压，适用于多种工业和消费类电子应用。
2. 低导通电阻（0.18Ω），减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
4. 高电流处理能力（连续16A，峰值48A），适合驱动大功率负载。
5. TO-220标准封装，易于安装和散热设计。
6. 宽温度范围支持（-55℃至175℃），适用于恶劣环境下的应用。
7. 内置雪崩击穿保护功能，提升了器件在异常情况下的可靠性。
FQD16N25C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和适配器中的功率开关。
2. DC-DC转换器及逆变器的核心元件。
3. 各类电机驱动电路，例如步进电机和直流无刷电机控制。
4. 照明设备中的调光和调压控制。
5. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理部分。
IRFZ44N, FQP16N25, STP16NF25
