类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：16A（在 Tc=25°C 下）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 27mΩ（在 Vgs=10V 下）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQD16N06LTM 的核心优势在于其低导通电阻和高电流能力，这使其在功率转换应用中表现出色，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，实现了更高的单位面积电流密度，从而在相同封装尺寸下提供更强的性能。此外，该器件具备良好的热稳定性和耐压能力，适合在各种恶劣环境下工作。其封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺，便于集成在高密度 PCB 设计中。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 20V），这使得它能够兼容多种驱动电路，包括低压微控制器和专用的 MOSFET 驱动 IC。同时，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的保护，提高系统的可靠性和稳定性。

FQD16N06LTM 被广泛应用于多种电源管理与功率控制领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池充电与管理系统、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。其低导通电阻和高电流能力特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合，例如电动汽车充电系统、光伏逆变器、LED 照明驱动以及服务器电源模块等。此外，该器件也常用于电源管理 IC 的外围功率开关，实现对负载的高效控制。

FQP16N06L, FDD16N06C, FDS6680, Si4410BDY