时间：2025/6/21 2:36:31
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FQD13N10TM 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性，能够满足现代高效能电源系统的需求。
其主要设计目的是用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及其他需要高性能功率管理的场合。
型号：FQD13N10TM
类型：N 沟道 MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：0.13Ω（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：13A
功耗：16W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
fT（特征频率）：3.4MHz
FQD13N10TM 的主要特点是其出色的电气特性和可靠性，具体如下：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，使其非常适合高频应用，可显著降低开关损耗。
3. 具有较低的栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss，从而提升动态性能。
4. 内置雪崩击穿保护功能，能够在短路或异常条件下提供额外的安全保障。
5. 封装采用 TO-252 (DPAK)，具备良好的散热性能和焊接便利性。
6. 符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺。
这款功率 MOSFET 可以在多种应用场景中使用，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 直流/直流转换器中的同步整流或降压升压控制。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
FQP13N10,
IRLZ44N,
FDS6680
