时间：2025/5/21 12:05:45
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FQD13N10LTM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于多种高效能电源管理应用中。其封装形式通常为表面贴装类型，能够满足小型化和高性能的设计需求。
这款 MOSFET 的额定电压为 100V，广泛适用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等应用场景。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：18nC（典型值）
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
FQD13N10LTM 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，具备较低的栅极电荷和输出电荷，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
5. 封装紧凑，便于 PCB 设计和装配。
6. 提供优异的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠运行。
FQD13N10LTM 可以应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各种类型的电机驱动电路，包括步进电机和无刷直流电机。
3. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
4. 太阳能逆变器和 LED 照明驱动系统。
5. 工业控制设备中的功率级模块。
FQP13N10, IRFZ44N, STP13NK06Z
