时间：2025/6/10 16:34:47
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FQD13N10L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。它广泛应用于各种电力电子领域，如开关电源、电机驱动、逆变器等。其封装形式通常为 TO-220 或 PDFN5x6 封装，具体取决于制造商的规格。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：13A
最大脉冲漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（典型值）：20nC
输入电容：940pF
总功耗：115W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQD13N10L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 良好的热性能，能够承受较高的功率密度。
4. 强大的雪崩能力，确保在过载或短路情况下具有更高的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 紧凑的封装选项，便于 PCB 布局和散热管理。
FQD13N10L 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 太阳能逆变器及 UPS 系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
FQP13N10, IRFZ44N, STP13NK06Z
