时间：2025/12/23 21:09:51
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FQD10N20LTM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效能功率转换的场景。
该 MOSFET 的电压等级为 200V，适用于中高压应用环境，并且具备出色的开关性能和热稳定性，能够在高频条件下保持较低的损耗。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：35nC
总电容：1200pF
功耗：10W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQD10N20LTM 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，减少电磁干扰。
3. 高击穿电压（V(BR)DSS）确保在高压环境下稳定运行。
4. 内置反向二极管，适合续流电路设计。
5. 紧凑的封装形式，有助于节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
FQD10N20LTM 可应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）。
2. 电机驱动与控制。
3. DC-DC 转换器。
4. 逆变器与 UPS 系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动电路及其他需要高效功率转换的应用。
FQD10N20LTME, IRFZ44N, STP10NK50Z
