时间：2025/8/25 3:44:47
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FQB9NK70ZT4是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能，适合在开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用中使用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：9A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.7Ω（Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FQB9NK70ZT4具有多项优良的电气和热特性，确保其在高功率应用中的可靠性和稳定性。
首先，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使得其导通电阻（Rds(on)）非常低，从而降低了导通损耗，提高了能效。在Vgs=10V时，Rds(on)的典型值仅为0.7Ω，使其在高电流应用中表现优异。
其次，该器件的最大漏源电压（Vds）为900V，适用于高压电源转换系统，如AC-DC电源、PFC（功率因数校正）电路等。栅源电压（Vgs）为±30V，具备较高的栅极耐压能力，增强了抗干扰能力和工作稳定性。
此外，FQB9NK70ZT4的最大漏极电流为9A，在标准环境温度（25°C）下可提供较高的电流承载能力，适合用于中高功率开关应用。其最大功率耗散为150W，结合TO-220封装形式，具有良好的散热性能，确保在连续高负载工作下的可靠性。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应广泛的工业和消费类应用环境。TO-220封装结构简单，易于安装和散热管理，适合各种PCB布局设计需求。
FQB9NK70ZT4广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、交流-直流（AC-DC）电源适配器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的负载开关等。其高耐压和低导通电阻的特性，使其在这些应用中能够实现高效率的能量转换和稳定的系统性能。
FQA9N90C, FQP9N90C, IRF840, FQB9N90C
