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FQB9NK70ZT4 发布时间 时间:2025/8/25 3:44:47 查看 阅读:13

FQB9NK70ZT4是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和优异的热性能,适合在开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用中使用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):900V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):9A(25°C)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.7Ω(Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

FQB9NK70ZT4具有多项优良的电气和热特性,确保其在高功率应用中的可靠性和稳定性。
  首先,该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术,使得其导通电阻(Rds(on))非常低,从而降低了导通损耗,提高了能效。在Vgs=10V时,Rds(on)的典型值仅为0.7Ω,使其在高电流应用中表现优异。
  其次,该器件的最大漏源电压(Vds)为900V,适用于高压电源转换系统,如AC-DC电源、PFC(功率因数校正)电路等。栅源电压(Vgs)为±30V,具备较高的栅极耐压能力,增强了抗干扰能力和工作稳定性。
  此外,FQB9NK70ZT4的最大漏极电流为9A,在标准环境温度(25°C)下可提供较高的电流承载能力,适合用于中高功率开关应用。其最大功率耗散为150W,结合TO-220封装形式,具有良好的散热性能,确保在连续高负载工作下的可靠性。
  该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应广泛的工业和消费类应用环境。TO-220封装结构简单,易于安装和散热管理,适合各种PCB布局设计需求。

应用

FQB9NK70ZT4广泛应用于多种功率电子系统中,主要包括开关电源(SMPS)、直流-直流(DC-DC)转换器、交流-直流(AC-DC)电源适配器、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的负载开关等。其高耐压和低导通电阻的特性,使其在这些应用中能够实现高效率的能量转换和稳定的系统性能。

替代型号

FQA9N90C, FQP9N90C, IRF840, FQB9N90C

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