时间：2025/4/29 17:53:43
阅读：13
FQB9N25C 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）的 FQ 系列。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。它采用 TO-220 封装形式，便于散热和安装。
该 MOSFET 的额定电压为 250V，能够承受较高的反向电压，同时其最大导通电阻较低，有助于降低功耗并提高系统效率。FQB9N25C 的栅极驱动电压范围较宽，可兼容传统的 TTL 和 CMOS 逻辑电平，使其在各种电路设计中具有良好的适用性。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：9A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：17nC
总电容：380pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
FQB9N25C 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为 250V，适合需要较高电压耐受的应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为 1.4Ω，在大电流条件下能有效减少功耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷（17nC）和总电容（380pF），有助于实现高效的高频开关操作。
4. 宽驱动电压范围：支持低至 10V 的栅极驱动电压，兼容多种控制信号。
5. 高可靠性：通过了严格的测试和认证流程，确保在恶劣环境下的稳定运行。
6. 散热性能优越：TO-220 封装提供良好的热传导路径，适合功率应用。
FQB9N25C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. DC-DC 转换器：用于降压、升压或升降压转换电路。
3. 电机驱动：控制直流电机或步进电机的启停与速度调节。
4. 负载开关：保护下游电路免受过流或短路的影响。
5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径的切换与保护。
6. 工业自动化设备：如继电器驱动、电磁阀控制等。
FQP50N06L, IRF540N, STP9NK50Z
