时间：2025/12/29 14:11:38
阅读：10
FQB8N60TM 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高功率应用设计，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、照明系统以及电机控制等场合。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：8A
最大漏源电压 (VDS)：600V
导通电阻 (RDS(on))：典型值 0.95Ω（最大 1.3Ω）
栅极阈值电压 (VGS(th))：2V～4V
最大耗散功率 (PD)：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FQB8N60TM 具备多项优异的电气特性和物理特性，适合于多种高功率应用环境。
首先，该器件的最大漏源电压为 600V，使其适用于高电压开关电路，如电源适配器、充电器和照明镇流器。其漏极电流能力为 8A，能够在相对较高的负载条件下稳定运行。
其次，该 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 最大为 1.3Ω，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提高整体系统的效率。此外，其栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，兼容多种常见的驱动电路设计，包括基于 PWM 控制器的系统。
该器件采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，能够适应较为严苛的工作环境。最大耗散功率为 50W，支持较高的连续工作功率。
此外，FQB8N60TM 还具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，确保在突发负载或瞬态条件下依然能够保持可靠运行。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于各种工业级和消费级应用。
总体而言，FQB8N60TM 是一款性能稳定、效率高、适用范围广的功率 MOSFET，适合用于多种中高功率电子系统。
FQB8N60TM 主要应用于以下领域：
1. **开关电源（SMPS）**：如电源适配器、充电器、PC 电源等，用于高频开关控制，提高转换效率并减小电源体积。
2. **照明系统**：包括 HID 灯、LED 驱动器等，用于调节和控制电流输出。
3. **电机控制**：如风扇、泵类等电机的驱动电路，实现 PWM 控制和节能运行。
4. **DC-DC 转换器**：用于升降压转换，适用于便携式设备和工业设备中的电源管理模块。
5. **工业自动化设备**：作为高电压开关元件，用于继电器替代、负载切换等应用。
6. **消费类电子产品**：如电视、音响、智能家电等，用于电源管理和负载控制。
该器件凭借其高电压耐受能力、较低的导通电阻和稳定的封装性能，在多种电子系统中发挥着重要作用。
FQA8N60C、FQP8N60、IRF8N60、STP8NA60FP
