时间：2025/5/20 15:32:02
阅读：6
FQB8N60是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提高系统效率并降低功耗。
FQB8N60采用TO-220封装形式，适用于大电流和高电压场景下的开关及调节应用。
型号：FQB8N60
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(VDS)：600V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：8A
导通电阻(RDS(on))：1.4Ω
总功耗(PD)：115W
工作温度范围(TJ)：-55℃ to +150℃
FQB8N60具备以下显著特点：
1. 高击穿电压(600V)，适合高压应用场景；
2. 极低的导通电阻(1.4Ω)，有助于减少导通损耗，提升系统效率；
3. 快速开关性能，支持高频操作；
4. 热稳定性强，可在宽温范围内可靠工作(-55℃至+150℃)；
5. 良好的电气隔离性能，确保电路安全运行；
6. TO-220封装易于散热设计，适用于功率密集型应用。
FQB8N60主要用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件；
2. 电机驱动电路中的功率控制；
3. 逆变器和转换器中的高频开关；
4. 工业自动化设备中的负载切换；
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路；
6. LED驱动电路中的功率调节。
其高压和大电流特性使其成为多种功率电子设备的理想选择。
FQP8N60
IRF820
STP8NB60Z
